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31.
孙永泰 《石油机械》2006,34(1):55-57
对海底输油管道内智能引导装置研究的必要性进行了分析;介绍了国内外在该领域的技术发展状况。针对智能引导装置的作业对象和环境,提出了技术要求和指标,对智能引导装置进行了总体设计,分析了其作业机理,建立了力学模型并进行了计算。对智能引导装置的控制系统进行了设计,提出了设计过程中应注意的问题。所研制的管内轮式智能引导装置具有质量轻、输出牵引力大、体积小、结构紧凑等特点,对较小管内空间类似系统的设计有一定参考价值。  相似文献   
32.
用两次键合技术制备均匀单晶硅膜   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
何芳  黄庆安  秦明   《电子器件》2006,29(1):69-72,75
硅直接键合(SDB)技术用于制备SOI片(BESOI)是键合技术的最重要应用之一,研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题,获得了大面积的均匀单晶硅膜,通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整度和影响因素。并针对压力传感器的敏感膜,通过两次键合及SOI自停止腐蚀成功制备了厚度可控的均匀单晶硅薄膜,硅膜表面质量优良,平整度在±0.15μm的范围内。  相似文献   
33.
针对目前石油钻采用清蜡绞车总体结构设计不合理以及实用性不强等技术难题,研制开发了自喷井电动清蜡绞车。该绞车的核心部件包括过载保护安全装置、牙嵌离合器轴套、自动/手动互换装置、计量装置以及密封装置。在清蜡绞车自动工作中,当清蜡刮刀遇到较大阻力时,清蜡绞车将接收到反馈信号,可实现智能停车,自动转换为手动状态,以便操作人员检查和排除故障,从而确保了操作的安全性,延长了设备的使用寿命。1000余台电动清蜡绞车的现场应用表明,该产品可以大大降低原油的开采成本,具有良好的经济效益和社会效益。  相似文献   
34.
针对目前国内小直径管井下注剂设备配套工具不完整,不能满足现场使用要求的情况,研制了井下注剂用小直径管起下装置。该装置采用可正反向旋转的液马达驱动主轴的方案,通过同步齿轮带动链条,夹紧机构使链条上的夹块夹住小直径管,由液压系统实现整个操作与控制,从而使装置上下运动。井场模拟试验表明,井下注剂用小直径管起下装置可完全满足小直径管起下作业的要求,且可避免小直径管管体的变形和损坏。  相似文献   
35.
一种新的网络对象存储设备研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
张悠慧  郑纬民 《电子学报》2003,31(5):679-682
Internet的飞速发展对于存储系统的可扩展性提出了很高的要求,也带来了由数据模型与存储模型的不一致问题引起的服务器性能瓶颈现象.针对这些情况,本文提出了网络对象附属存储设备(NAOSD)的概念,其利用设备处理器的能力直接支持结构化数据存储.这一设计减少了存储系统中数据服务器的负载,增加了系统吞吐量.同时,研究了该设备原型在集群环境中的应用,提出了数据/元数据统一存储与查询式数据定位机制.分析表明,这些机制能够较显著地提高系统扩展性——数据访问时间随系统规模的扩大呈对数增长,优于传统的映射定位机制.我们已经模拟实现了NAOSD,并在性能比较测试中取得了较好的效果.  相似文献   
36.
可编程模拟器件与技术新进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
简述可编程模拟器件的基本原理、典型应用和开发方法,介绍并比较主要的模拟可编程实现技术与主流器件系列,指出现存的主要问题并展望其未来发展方向.  相似文献   
37.
通过比较煤矿生产、安全调度显示方式的优缺点,提出和分析了适合于煤矿生产安全调度的LED电子大屏幕显示系统配置、功能及特点。  相似文献   
38.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
39.
荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量,求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时,因其零场发射电流密度难于准确取值,温度无法直接测量,显得困难,须予解决,为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法,对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算,有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出,精度不很高,文中所用办法也不例外,但所得结果能反映阴极发射能力,所需仪器少,是实用方法。  相似文献   
40.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。  相似文献   
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